Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [32]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FP25R12KT4_B15	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V	Добавить в запрос
FP25R12U1T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V	Добавить в запрос
FP25R12W1T7B11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module with TRENCHSTOP IGBT7	Добавить в запрос
FP25R12W2T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 39A	Добавить в запрос
FP25R12W2T4PB11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FP25R12W2T4PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FP25R12W2T4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A	Добавить в запрос
FP30R06KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V PIM	Добавить в запрос
FP30R06W1E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A	Добавить в запрос
FP30R06W1E3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600V	Добавить в запрос
FP30R06YE3_B4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 30A	Добавить в запрос
FP35R12KT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FP35R12KT4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FP35R12KT4_B15	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A	Добавить в запрос
FP35R12U1T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V	Добавить в запрос
FP35R12W2T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FP35R12W2T4PB11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE	Добавить в запрос
FP35R12W2T4PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE	Добавить в запрос
FP35R12W2T4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A	Добавить в запрос
FP40R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIM	Добавить в запрос
FP40R12KE3G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIM	Добавить в запрос
FP40R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A	Добавить в запрос
FP40R12KT3G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A	Добавить в запрос
FP50R06KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A	Добавить в запрос