Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [34]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FPF2G120BF07ASP	ON Semiconductor / Fairchild	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module	Добавить в запрос
FS100R06KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH	Добавить в запрос
FS100R07N2E4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V	Добавить в запрос
FS100R07N2E4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V	Добавить в запрос
FS100R07PE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V	Добавить в запрос
FS100R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE	Добавить в запрос
FS100R12KS4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE	Добавить в запрос
FS100R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 140A	Добавить в запрос
FS100R12KT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100A	Добавить в запрос
FS100R12KT4G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A	Добавить в запрос
FS100R12KT4G_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A	Добавить в запрос
FS100R12KT4PB11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO	Добавить в запрос
FS100R12KT4PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO	Добавить в запрос
FS100R12N2T4PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO	Добавить в запрос
FS100R12PT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 PHASE POWER BRIDGE	Добавить в запрос
FS100R12W2T7B11BOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS100R17KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 145A	Добавить в запрос
FS100R17N3E4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS100R17N3E4PB11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO	Добавить в запрос
FS100R17N3E4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS100R17PE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 100A	Добавить в запрос
FS10R06VE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A	Добавить в запрос
FS10R06VE3_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASYPACK 750 15.0A 1.55V	Добавить в запрос
FS10R06VL4_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A	Добавить в запрос