Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [33]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FP50R06W2E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A	Добавить в запрос
FP50R06W2E3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A	Добавить в запрос
FP50R07N2E4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V	Добавить в запрос
FP50R07N2E4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V	Добавить в запрос
FP50R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM	Добавить в запрос
FP50R12KS4C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM	Добавить в запрос
FP50R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A	Добавить в запрос
FP50R12KT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A	Добавить в запрос
FP50R12KT4G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V	Добавить в запрос
FP50R12KT4G_B15	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V	Добавить в запрос
FP50R12KT4PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO	Добавить в запрос
FP50R12KT4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A	Добавить в запрос
FP75R06KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FP75R07N2E4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V	Добавить в запрос
FP75R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A PIM	Добавить в запрос
FP75R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A	Добавить в запрос
FP75R12KT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM	Добавить в запрос
FP75R12KT4PB11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO	Добавить в запрос
FP75R12KT4PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO	Добавить в запрос
FP75R12KT4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A	Добавить в запрос
FP75R12KT4_B15	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A	Добавить в запрос
FP75R17N3E4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FPF2C8P2NL07A	ON Semiconductor / Fairchild	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM F2 NPC 650V 50A	Добавить в запрос
FPF2G120BF07AS	ON Semiconductor / Fairchild	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module	Добавить в запрос