Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [31]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FP15R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 27A	Добавить в запрос
FP15R12KE3G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM	Добавить в запрос
FP15R12KS4C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM	Добавить в запрос
FP15R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM Econo2B 1200V, 15A	Добавить в запрос
FP15R12W1T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FP15R12W1T4PB11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FP15R12W1T4PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FP15R12W1T4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15A	Добавить в запрос
FP15R12W1T4_B3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15A	Добавить в запрос
FP15R12W1T7B11BOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP15R12W1T7B3BOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP15R12W1T7PB3BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP15R12W2T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module	Добавить в запрос
FP15R12YT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A	Добавить в запрос
FP20R06KL4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A EASY MOUNT	Добавить в запрос
FP20R06W1E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 27A	Добавить в запрос
FP20R06W1E3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600V	Добавить в запрос
FP20R06YE3_B4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP25R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM	Добавить в запрос
FP25R12KS4C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM	Добавить в запрос
FP25R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A	Добавить в запрос
FP25R12KT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A	Добавить в запрос
FP25R12KT4B16BOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO	Добавить в запрос
FP25R12KT4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос