Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

VUB120-16NOX	IXYS	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit	Добавить в запрос
VUB120-16NOXT	IXYS	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit	Добавить в запрос
VUB145-16NOXT	IXYS	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 Phase Rectifier Bridge w/ IGBT	Добавить в запрос
VUB160-16NOX	IXYS	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit	Добавить в запрос