Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [30]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FP10R06W1E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A	Добавить в запрос
FP10R06W1E3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 10A 600V	Добавить в запрос
FP10R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENT	Добавить в запрос
FP10R12W1T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 20A	Добавить в запрос
FP10R12W1T4PB11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FP10R12W1T4PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FP10R12W1T4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A	Добавить в запрос
FP10R12W1T4_B29	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP10R12W1T4_B3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A	Добавить в запрос
FP10R12W1T7B11BOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP10R12W1T7B3BOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP10R12W1T7PB3BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP10R12YT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A	Добавить в запрос
FP10R12YT3_B4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A	Добавить в запрос
FP150R07N3E4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V	Добавить в запрос
FP150R07N3E4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V	Добавить в запрос
FP150R12KT4	Infineon / IR	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP150R12KT4P	Infineon / IR	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP150R12KT4P_B11	Infineon / IR	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP150R12KT4_B11	Infineon / IR	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP15R06KL4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A EASY2	Добавить в запрос
FP15R06W1E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A	Добавить в запрос
FP15R06W1E3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 15A 600V	Добавить в запрос
FP15R06YE3_B4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 15A	Добавить в запрос