Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [28]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FF600R12IE4V	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12IP4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A	Добавить в запрос
FF600R12IP4V	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12KE4BOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FF600R12KE4EBOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FF600R12ME4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A	Добавить в запрос
FF600R12ME4A_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12ME4CB11BOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12ME4CBOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12ME4CP	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12ME4CP_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12ME4EB11BOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12ME4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12ME4PB72BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12ME4P_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R12ME4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1200V	Добавить в запрос
FF600R17KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 900A	Добавить в запрос
FF600R17KE3_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A	Добавить в запрос
FF600R17ME4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC	Добавить в запрос
FF600R17ME4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R17ME4P_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF600R17ME4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology	Добавить в запрос
FF650R17IE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A	Добавить в запрос
FF650R17IE4DP_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос