Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [29]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FF650R17IE4D_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A	Добавить в запрос
FF650R17IE4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF650R17IE4V	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF75R12RT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A	Добавить в запрос
FF75R12YT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A	Добавить в запрос
FF800R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL	Добавить в запрос
FF800R17KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.15KA	Добавить в запрос
FF800R17KP4_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 800A	Добавить в запрос
FF900R12IE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A	Добавить в запрос
FF900R12IE4PBOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PRIMEPACK	Добавить в запрос
FF900R12IE4V	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF900R12IP4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FF900R12IP4D	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A	Добавить в запрос
FF900R12IP4DV	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF900R12IP4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF900R12IP4V	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FNE41060	ON Semiconductor / Fairchild	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 10A SPM45 FAST VERSN WITHOUT NTC FUNCTION	Добавить в запрос
FP06R12W1T4_B3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FP100R06KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A	Добавить в запрос
FP100R07N3E4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V	Добавить в запрос
FP100R07N3E4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V	Добавить в запрос
FP100R12KT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FP100R12KT4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A	Добавить в запрос
FP10R06KL4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10a Easy Mount	Добавить в запрос