Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [27]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FF450R06ME3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 550A	Добавить в запрос
FF450R07ME4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 650V	Добавить в запрос
FF450R12IE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450A	Добавить в запрос
FF450R12KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 520A	Добавить в запрос
FF450R12KE4PHOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM	Добавить в запрос
FF450R12KE4_E	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF450R12KT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A	Добавить в запрос
FF450R12ME3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A	Добавить в запрос
FF450R12ME4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 450A	Добавить в запрос
FF450R12ME4EB11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF450R12ME4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF450R12ME4P_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF450R12ME4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200V	Добавить в запрос
FF450R17IE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A	Добавить в запрос
FF450R17ME3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 605A	Добавить в запрос
FF450R17ME4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A	Добавить в запрос
FF450R17ME4P_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF450R17ME4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700V	Добавить в запрос
FF450R33T3E3BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XHP 3 3300V dual IGBT module with IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode - Designed for flexibility and reliability!	Добавить в запрос
FF500R17KE4BOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM	Добавить в запрос
FF50R12RT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A	Добавить в запрос
FF600R06ME3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 600A	Добавить в запрос
FF600R07ME4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 650V	Добавить в запрос
FF600R12IE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос