Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [26]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FF300R12KT4PHOSA1	Infineon / IR	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM	Добавить в запрос
FF300R12ME3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 500A	Добавить в запрос
FF300R12ME4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A	Добавить в запрос
FF300R12ME4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V	Добавить в запрос
FF300R12MS4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370A	Добавить в запрос
FF300R17KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 404A	Добавить в запрос
FF300R17KE3_S4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700V	Добавить в запрос
FF300R17KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700V	Добавить в запрос
FF300R17KE4PHOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM	Добавить в запрос
FF300R17ME3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 375A	Добавить в запрос
FF300R17ME4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 300A	Добавить в запрос
FF300R17ME4PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO	Добавить в запрос
FF300R17ME4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700V	Добавить в запрос
FF400R06KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 400A DUAL	Добавить в запрос
FF400R07A01E3S6XKSA2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DSC	Добавить в запрос
FF400R07KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650V	Добавить в запрос
FF400R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE	Добавить в запрос
FF400R12KE3_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A	Добавить в запрос
FF400R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A	Добавить в запрос
FF400R12KT3P_E	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF400R12KT3_E	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400A	Добавить в запрос
FF400R17KE4EHOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM	Добавить в запрос
FF400R17KE4HOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM	Добавить в запрос
FF400R33KF2C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A DUAL	Добавить в запрос