Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [24]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FF150R12KT3G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A	Добавить в запрос
FF150R12ME3G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A	Добавить в запрос
FF150R12MS4G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A	Добавить в запрос
FF150R12RT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A	Добавить в запрос
FF150R12YT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A	Добавить в запрос
FF150R17KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 1700V	Добавить в запрос
FF150R17ME3G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 240A	Добавить в запрос
FF1800R12IE5BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP, IHM I, XHP 1,7KV	Добавить в запрос
FF1800R17IP5	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF200R06KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260A	Добавить в запрос
FF200R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL	Добавить в запрос
FF200R12KE3_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A	Добавить в запрос
FF200R12KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FF200R12KE4PHOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM	Добавить в запрос
FF200R12KS4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL	Добавить в запрос
FF200R12KS4PHOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM	Добавить в запрос
FF200R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A	Добавить в запрос
FF200R12KT3_E	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A	Добавить в запрос
FF200R12KT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A	Добавить в запрос
FF200R17KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 390A	Добавить в запрос
FF200R17KE3_S4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A	Добавить в запрос
FF200R17KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1700V	Добавить в запрос
FF200R33KF2C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A DUAL	Добавить в запрос
FF225R12ME3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 325A	Добавить в запрос