Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [23]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FD800R33KF2C-K	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.3KA	Добавить в запрос
FD900R12IP4D	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A	Добавить в запрос
FD900R12IP4DV	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF1000R17IE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.39KA	Добавить в запрос
FF1000R17IE4DP_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF1000R17IE4D_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A	Добавить в запрос
FF1000R17IE4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF100R12KS4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL	Добавить в запрос
FF100R12RT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode	Добавить в запрос
FF1200R12IE5	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF1200R12IE5PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PRIMEPACK	Добавить в запрос
FF1200R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A IGBT Module	Добавить в запрос
FF1200R17IP5BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP, IHM I, XHP 1,7KV	Добавить в запрос
FF1200R17KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 1200A DUAL	Добавить в запрос
FF1200R17KP4_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A	Добавить в запрос
FF1400R12IP4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.4KA	Добавить в запрос
FF1400R12IP4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF1400R17IP4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1400A 1700V	Добавить в запрос
FF1400R17IP4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF1500R17IP5PBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FF150R12KE3G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL	Добавить в запрос
FF150R12KE3G_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A	Добавить в запрос
FF150R12KE3_B8	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A	Добавить в запрос
FF150R12KS4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL	Добавить в запрос