Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [21]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

F4-75R12KS4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A	Добавить в запрос
F4-75R12KS4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V	Добавить в запрос
F4150R17ME4B11BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO	Добавить в запрос
F450R07W1H3B11ABOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
F475R07W1H3B11ABOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
F5-75R06KE3_B5	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FAM65CR51DZ2	ON Semiconductor	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CDA PFC SF3 F RFET	Добавить в запрос
FAM65HR51DS2	ON Semiconductor	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CAA H-BRIDGE SF3	Добавить в запрос
FAM65V05DF1	ON Semiconductor / Fairchild	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HEV Automotive Power Modules	Добавить в запрос
FB10R06KL4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A	Добавить в запрос
FB10R06KL4G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A	Добавить в запрос
FB10R06KL4G_B1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A	Добавить в запрос
FB15R06KL4_B1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 19A	Добавить в запрос
FB20R06KL4_B1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A	Добавить в запрос
FB20R06W1E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FB20R06W1E3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FB30R06W1E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FD1000R17IE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A	Добавить в запрос
FD1000R17IE4D_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FD1000R33HE3-K	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000A	Добавить в запрос
FD1000R33HL3-K	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FD1200R17HP4-K_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1700V	Добавить в запрос
FD1200R17KE3-K	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.6KA	Добавить в запрос
FD1400R12IP4D	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1400A	Добавить в запрос