Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [36]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FS200R07N3E4R_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V	Добавить в запрос
FS200R07PE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V	Добавить в запрос
FS200R12KT4R	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A	Добавить в запрос
FS200R12KT4R_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1200V	Добавить в запрос
FS200R12PT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoPACK4 200A 1200V	Добавить в запрос
FS200R12PT4PBOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO	Добавить в запрос
FS20R06VE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FS20R06VE3_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FS20R06W1E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 35A	Добавить в запрос
FS20R06W1E3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600V	Добавить в запрос
FS20R06XE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26A	Добавить в запрос
FS215R04A1E3DBOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS225R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 225A 3-PHASE	Добавить в запрос
FS225R12KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A	Добавить в запрос
FS225R12OE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS225R12OE4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS225R17KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225A	Добавить в запрос
FS225R17OE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS225R17OE4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS25R12KE3G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A	Добавить в запрос
FS25R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A	Добавить в запрос
FS25R12W1T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 45A	Добавить в запрос
FS25R12W1T4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V	Добавить в запрос
FS25R12YT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A	Добавить в запрос