Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [38]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FS450R12KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A IGBT4	Добавить в запрос
FS450R12OE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200V	Добавить в запрос
FS450R12OE4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS450R17KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A 3-PHASE	Добавить в запрос
FS450R17KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A	Добавить в запрос
FS450R17OE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700V	Добавить в запрос
FS450R17OE4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS450R17OP4PBOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS500R17OE4D	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS500R17OE4DP	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS50R06KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A	Добавить в запрос
FS50R06W1E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A	Добавить в запрос
FS50R06W1E3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600V	Добавить в запрос
FS50R06YE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A	Добавить в запрос
FS50R06YL4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 55A	Добавить в запрос
FS50R07W1E3B11ABOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS50R07W1E3_B11A	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY	Добавить в запрос
FS50R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE	Добавить в запрос
FS50R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A	Добавить в запрос
FS50R12KT4P_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS50R12KT4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A	Добавить в запрос
FS50R12KT4_B15	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A	Добавить в запрос
FS50R12W2T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A	Добавить в запрос
FS50R12W2T4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A	Добавить в запрос