Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [37]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FS300R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A 3-PHASE	Добавить в запрос
FS300R12KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450A	Добавить в запрос
FS300R12OE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS300R12OE4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS300R17KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A 3-PHASE	Добавить в запрос
FS300R17KE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 300A	Добавить в запрос
FS300R17OE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS300R17OE4P	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS30R06VE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE	Добавить в запрос
FS30R06W1E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 45A	Добавить в запрос
FS30R06W1E3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600V	Добавить в запрос
FS30R06XE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A	Добавить в запрос
FS30R06XL4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE	Добавить в запрос
FS35R12KE3G	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A 3-PHASE	Добавить в запрос
FS35R12KT3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A	Добавить в запрос
FS35R12W1T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65A	Добавить в запрос
FS35R12W1T4_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V	Добавить в запрос
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
FS3L50R07W2H3_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS400R07A3E3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 1	Добавить в запрос
FS400R07A3E3H6BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 1	Добавить в запрос
FS400R12A2T4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2	Добавить в запрос
FS450R12KE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE	Добавить в запрос