Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [40]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

FS770R08A6P2BBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS770R08A6P2LBBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS800R07A2E3B32BOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FS800R07A2E3_B31	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2	Добавить в запрос
FS820R08A6P2BBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE	Добавить в запрос
FS820R08A6P2BPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE	Добавить в запрос
FS820R08A6P2LBBPSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE	Добавить в запрос
FS900R08A2P2B31BOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK2	Добавить в запрос
FSAM75SM60A	ON Semiconductor / Fairchild	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V -75A SMART POWER MODULE	Добавить в запрос
FT150R12KE3G_B4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A	Добавить в запрос
FZ1000R33HE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000A	Добавить в запрос
FZ1000R33HL3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KA	Добавить в запрос
FZ1200R12HE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FZ1200R12HP4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1200A	Добавить в запрос
FZ1200R17HE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A	Добавить в запрос
FZ1200R17HP4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A	Добавить в запрос
FZ1200R17HP4_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A	Добавить в запрос
FZ1200R33HE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 3300V	Добавить в запрос
FZ1200R33KF2C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A SINGLE	Добавить в запрос
FZ1200R45KL3_B5	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
FZ1500R33HE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1500A	Добавить в запрос
FZ1500R33HL3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KA	Добавить в запрос
FZ1600R12HP4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1600A	Добавить в запрос
FZ1600R17HP4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1600A	Добавить в запрос