|
STGB6NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT | Добавить в запрос |
|
|
STGB6NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT | Добавить в запрос |
|
STGB7H60DF |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed | Добавить в запрос |
|
|
STGB7H60DF |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed | Добавить в запрос |
|
STGB7NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp | Добавить в запрос |
|
|
STGB7NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp | Добавить в запрос |
|
STGB8NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET | Добавить в запрос |
|
|
STGB8NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET | Добавить в запрос |
|
STGD10HF60KD |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode | Добавить в запрос |
|
|
STGD10HF60KD |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode | Добавить в запрос |
|
STGD10NC60HT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | Добавить в запрос |
|
|
STGD10NC60HT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | Добавить в запрос |
|
STGD10NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 10A | Добавить в запрос |
|
|
STGD10NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 10A | Добавить в запрос |
|
STGD14NC60KT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET | Добавить в запрос |
|
|
STGD14NC60KT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET | Добавить в запрос |
|
STGD18N40LZT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT | Добавить в запрос |
|
|
STGD18N40LZT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT | Добавить в запрос |
|
STGD19N40LZ |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ | Добавить в запрос |
|
|
STGD19N40LZ |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ | Добавить в запрос |