|
STGD6M65DF2 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
|
STGD6M65DF2 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
STGD6NC60H-1 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT | Добавить в запрос |
|
|
STGD6NC60H-1 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT | Добавить в запрос |
|
STGD6NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Добавить в запрос |
|
|
STGD6NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Добавить в запрос |
|
STGD7NB60ST4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp | Добавить в запрос |
|
|
STGD7NB60ST4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp | Добавить в запрос |
|
STGD7NC60HT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp | Добавить в запрос |
|
|
STGD7NC60HT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp | Добавить в запрос |
|
STGD8NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET | Добавить в запрос |
|
|
STGD8NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET | Добавить в запрос |
|
STGE200NB60S |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 150Amp | Добавить в запрос |
|
|
STGE200NB60S |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 150Amp | Добавить в запрос |
|
STGF10H60DF |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd | Добавить в запрос |
|
|
STGF10H60DF |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd | Добавить в запрос |
|
STGF10M65DF2 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | Добавить в запрос |
|
|
STGF10M65DF2 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | Добавить в запрос |
|
STGF10NB60SD |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp | Добавить в запрос |
|
|
STGF10NB60SD |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp | Добавить в запрос |