|
STGF3NC120HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 3 Amp |
Добавить в запрос
|
|
|
STGF3NC120HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 3 Amp |
Добавить в запрос
|
|
STGF4M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
|
STGF4M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
STGF5H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGF5H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGF6M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
|
STGF6M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
STGF6NC60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGF6NC60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGF7H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGF7H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGF7NB60SL |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGF7NB60SL |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGF7NC60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp |
Добавить в запрос
|
|
STGF8NC60KD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET |
Добавить в запрос
|
|
|
STGF8NC60KD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET |
Добавить в запрос
|
|
STGFW20H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGFW20H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGFW20V60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
Добавить в запрос
|
