|
STGD20N40LZ |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS | Добавить в запрос |
|
|
STGD20N40LZ |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS | Добавить в запрос |
|
STGD20N45LZAG |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
|
STGD20N45LZAG |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
STGD25N40LZAG |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
|
STGD25N40LZAG |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
STGD3HF60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM | Добавить в запрос |
|
|
STGD3HF60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM | Добавить в запрос |
|
STGD3NB60SDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 Amp | Добавить в запрос |
|
|
STGD3NB60SDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 Amp | Добавить в запрос |
|
STGD3NC120H-1 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBT | Добавить в запрос |
|
|
STGD3NC120H-1 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBT | Добавить в запрос |
|
STGD4M65DF2 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
|
STGD4M65DF2 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
STGD5H60DF |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed | Добавить в запрос |
|
|
STGD5H60DF |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed | Добавить в запрос |
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT | Добавить в запрос |
|
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT | Добавить в запрос |
|
STGD5NB120SZT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 5 Amp | Добавить в запрос |
|
|
STGD5NB120SZT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 5 Amp | Добавить в запрос |