|
STGB30H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB30H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package |
Добавить в запрос
|
|
STGB30M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB30M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
STGB30V60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB30V60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB30V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB30V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB3NC120HDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB3NC120HDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast |
Добавить в запрос
|
|
STGB40H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB40H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB40V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB40V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB4M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB4M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
STGB5H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB5H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB6M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB6M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss |
Добавить в запрос
|
