|
STGB20N40LZ |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB20N40LZ |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped |
Добавить в запрос
|
|
STGB20N45LZAG |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB20N45LZAG |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
STGB20NB41LZT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB20NB41LZT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp |
Добавить в запрос
|
|
STGB20NC60V |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB20NC60V |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGB20V60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB20V60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB20V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB20V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB25N40LZAG |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB25N40LZAG |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
STGB30H60DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB30H60DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB30H60DLFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB30H60DLFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB30H60DLLFBAG |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB30H60DLLFBAG |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
