|
STGAP2SCM |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
STGAP2SCMTR |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
|
STGAP2SCMTR |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
|
STGAP2SCMTR |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
STGAP2SM |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
|
STGAP2SM |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
|
STGAP2SM |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
STGAP2SMTR |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
|
STGAP2SMTR |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
|
STGAP2SMTR |
|
STMicroelectronics | Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver | Добавить в запрос |
|
STGB10H60DF |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed | Добавить в запрос |
|
|
STGB10H60DF |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed | Добавить в запрос |
|
STGB10M65DF2 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | Добавить в запрос |
|
|
STGB10M65DF2 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | Добавить в запрос |
|
STGB10NB37LZT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT | Добавить в запрос |
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT | Добавить в запрос |
|
STGB10NB40LZT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp | Добавить в запрос |
|
|
STGB10NB40LZT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp | Добавить в запрос |
|
STGB10NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | Добавить в запрос |
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | Добавить в запрос |