|
STGB10NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET |
Добавить в запрос
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGB15H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB15H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGB15M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB15M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
STGB18N40LZT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB18N40LZT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V |
Добавить в запрос
|
|
STGB19N40LZ |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB19N40LZ |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
Добавить в запрос
|
|
STGB19NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB19NC60HDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A |
Добавить в запрос
|
|
STGB19NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB19NC60KDT4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGB20H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB20H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGB20M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
|
STGB20M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
Добавить в запрос
|
