|
FF800R17KP4_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 800A | Добавить в запрос |
|
|
FF800R17KP4_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 800A | Добавить в запрос |
|
FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology. | Добавить в запрос |
|
|
FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology. | Добавить в запрос |
|
FF900R12IE4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A | Добавить в запрос |
|
|
FF900R12IE4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A | Добавить в запрос |
|
FF900R12IE4PBOSA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PRIMEPACK | Добавить в запрос |
|
|
FF900R12IE4PBOSA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PRIMEPACK | Добавить в запрос |
|
FF900R12IE4V |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FF900R12IE4V |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF900R12IP4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Добавить в запрос |
|
|
FF900R12IP4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Добавить в запрос |
|
FF900R12IP4D |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A | Добавить в запрос |
|
|
FF900R12IP4D |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A | Добавить в запрос |
|
FF900R12IP4DV |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FF900R12IP4DV |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF900R12IP4P |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF900R12IP4V |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FF900R12IP4V |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FP06R12W1T4_B3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |