|
FF650R17IE4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A | Добавить в запрос |
|
|
FF650R17IE4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A | Добавить в запрос |
|
FF650R17IE4DP_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FF650R17IE4DP_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF650R17IE4D_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A | Добавить в запрос |
|
|
FF650R17IE4D_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A | Добавить в запрос |
|
FF650R17IE4P |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FF650R17IE4P |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF650R17IE4V |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FF650R17IE4V |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 6 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology. | Добавить в запрос |
|
|
FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 6 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology. | Добавить в запрос |
|
FF75R12RT4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | Добавить в запрос |
|
|
FF75R12RT4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | Добавить в запрос |
|
FF75R12YT3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | Добавить в запрос |
|
|
FF75R12YT3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | Добавить в запрос |
|
FF800R12KE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL | Добавить в запрос |
|
|
FF800R12KE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL | Добавить в запрос |
|
FF800R17KE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.15KA | Добавить в запрос |
|
|
FF800R17KE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.15KA | Добавить в запрос |