|
FF600R12ME4P |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R12ME4P |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R12ME4PB72BPSA1 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R12ME4PB72BPSA1 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R12ME4P_B11 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R12ME4P_B11 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R12ME4_B11 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1200V | Добавить в запрос |
|
FF600R12ME4_B11 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1200V | Добавить в запрос |
|
FF600R17KE3 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 900A | Добавить в запрос |
|
FF600R17KE3 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 900A | Добавить в запрос |
|
FF600R17KE3_B2 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A | Добавить в запрос |
|
FF600R17KE3_B2 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A | Добавить в запрос |
|
FF600R17ME4 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC | Добавить в запрос |
|
FF600R17ME4 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC | Добавить в запрос |
|
FF600R17ME4P |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R17ME4P |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R17ME4P_B11 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R17ME4P_B11 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FF600R17ME4_B11 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology | Добавить в запрос |
|
FF600R17ME4_B11 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology | Добавить в запрос |