|
|
FP10R12W1T4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 20A | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4PB11BPSA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4PB11BPSA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4PBPSA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4PBPSA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4_B11 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4_B11 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4_B29 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4_B29 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4_B3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T4_B3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T7B11BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T7B11BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T7B3BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T7B3BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12W1T7PB3BPSA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12YT3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12YT3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12YT3_B4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Добавить в запрос |
|
|
FP10R12YT3_B4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Добавить в запрос |