Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGW15H120F2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed | Добавить в запрос | ||
STGW15M120DF3 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss | Добавить в запрос | ||
STGW19NC60HD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A - 600 V Very fast IGBT | Добавить в запрос | ||
STGW20H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | Добавить в запрос | ||
STGW20H65FB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed | Добавить в запрос | ||
STGW20IH125DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gate field-stop IGBT | Добавить в запрос | ||
STGW20NC60V | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp | Добавить в запрос | ||
STGW20NC60VD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp | Добавить в запрос | ||
STGW20V60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT | Добавить в запрос | ||
STGW20V60F | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | Добавить в запрос | ||
STGW25H120DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed | Добавить в запрос | ||
STGW25H120F2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed | Добавить в запрос | ||
STGW25M120DF3 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss | Добавить в запрос | ||
STGW28IH125DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gate field-stop IGBT | Добавить в запрос | ||
STGW30H60DFB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | Добавить в запрос | ||
STGW30H60DLFB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | Добавить в запрос | ||
STGW30H65FB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed | Добавить в запрос | ||
STGW30M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | Добавить в запрос | ||
STGW30NC120HD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL IGBT | Добавить в запрос | ||
STGW30NC60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600v IGBT | Добавить в запрос | ||
STGW30NC60VD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH | Добавить в запрос | ||
STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Добавить в запрос | ||
STGW30V60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT | Добавить в запрос | ||
STGW30V60F | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop | Добавить в запрос |