Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [70]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

STGP20NC60V	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp	Добавить в запрос
STGP20V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT	Добавить в запрос
STGP20V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop	Добавить в запрос
STGP30H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT	Добавить в запрос
STGP30H60DFB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed	Добавить в запрос
STGP30M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss	Добавить в запрос
STGP30V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT	Добавить в запрос
STGP30V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop	Добавить в запрос
STGP35HF60W	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHz	Добавить в запрос
STGP3HF60HD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode	Добавить в запрос
STGP3NC120HD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar	Добавить в запрос
STGP40V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT	Добавить в запрос
STGP4M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A	Добавить в запрос
STGP5H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed	Добавить в запрос
STGP6M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE	Добавить в запрос
STGP6NC60HD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT	Добавить в запрос
STGP7H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed	Добавить в запрос
STGP7NC60HD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT	Добавить в запрос
STGP8M120DF3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package	Добавить в запрос
STGP8NC60KD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET	Добавить в запрос
STGPL6NC60D	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 6A N-Channel	Добавить в запрос
STGPL6NC60DI	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V - 6 A Hyper fast IGBT	Добавить в запрос
STGW10M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE	Добавить в запрос
STGW15H120DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed	Добавить в запрос