Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [69]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

STGFW20V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed	Добавить в запрос
STGFW20V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop	Добавить в запрос
STGFW30H65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed	Добавить в запрос
STGFW30V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed	Добавить в запрос
STGFW30V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop	Добавить в запрос
STGFW40H65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed	Добавить в запрос
STGFW40V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed	Добавить в запрос
STGFW40V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed	Добавить в запрос
STGFW80V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE	Добавить в запрос
STGP10H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd	Добавить в запрос
STGP10M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss	Добавить в запрос
STGP10NB60S	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp	Добавить в запрос
STGP10NB60SD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH	Добавить в запрос
STGP10NC60HD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT	Добавить в запрос
STGP10NC60KD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT	Добавить в запрос
STGP14NC60KD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT	Добавить в запрос
STGP15H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd	Добавить в запрос
STGP15M120F3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package	Добавить в запрос
STGP15M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss	Добавить в запрос
STGP19NC60HD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A - 600 V very fast IGBT	Добавить в запрос
STGP19NC60KD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT	Добавить в запрос
STGP19NC60SD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-chnl 600V-20A Med Freq	Добавить в запрос
STGP20H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT	Добавить в запрос
STGP20M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss	Добавить в запрос