Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET | Добавить в запрос | ||
STGF10H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd | Добавить в запрос | ||
STGF10M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | Добавить в запрос | ||
STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp | Добавить в запрос | ||
STGF10NC60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Добавить в запрос | ||
STGF14NC60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Добавить в запрос | ||
STGF15H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd | Добавить в запрос | ||
STGF15M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss | Добавить в запрос | ||
STGF19NC60HD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFT | Добавить в запрос | ||
STGF19NC60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT | Добавить в запрос | ||
STGF20H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT | Добавить в запрос | ||
STGF20M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss | Добавить в запрос | ||
STGF20NB60S | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 13A-600V | Добавить в запрос | ||
STGF30M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | Добавить в запрос | ||
STGF3NC120HD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 3 Amp | Добавить в запрос | ||
STGF4M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос | ||
STGF5H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed | Добавить в запрос | ||
STGF6M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss | Добавить в запрос | ||
STGF6NC60HD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Добавить в запрос | ||
STGF7H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed | Добавить в запрос | ||
STGF7NB60SL | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT | Добавить в запрос | ||
STGF7NC60HD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp | Добавить в запрос | ||
STGF8NC60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET | Добавить в запрос | ||
STGFW20H65FB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed | Добавить в запрос |