Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [66]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

STGB19NC60KDT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT	Добавить в запрос
STGB20H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT	Добавить в запрос
STGB20M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss	Добавить в запрос
STGB20N40LZ	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped	Добавить в запрос
STGB20N45LZAG	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE	Добавить в запрос
STGB20NB41LZT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp	Добавить в запрос
STGB20NC60V	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBT	Добавить в запрос
STGB20V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed	Добавить в запрос
STGB20V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed	Добавить в запрос
STGB25N40LZAG	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE	Добавить в запрос
STGB30H60DFB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed	Добавить в запрос
STGB30H60DLFB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed	Добавить в запрос
STGB30H60DLLFBAG	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed	Добавить в запрос
STGB30H65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package	Добавить в запрос
STGB30M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss	Добавить в запрос
STGB30V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed	Добавить в запрос
STGB30V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed	Добавить в запрос
STGB3NC120HDT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast	Добавить в запрос
STGB40H65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed	Добавить в запрос
STGB40V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed	Добавить в запрос
STGB4M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss	Добавить в запрос
STGB5H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed	Добавить в запрос
STGB6M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss	Добавить в запрос
STGB6NC60HDT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT	Добавить в запрос