Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [65]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

SGS10N60RUFDTU	ON Semiconductor / Fairchild	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/10A/w/FRD	Добавить в запрос
SGTB11N60R2DT4G	ON Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 10A 600V DPAK	Добавить в запрос
SGW20N60	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 20A	Добавить в запрос
SGW25N120	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A	Добавить в запрос
SGW30N60	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 30A	Добавить в запрос
SKB02N120	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A	Добавить в запрос
SKP02N120	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A	Добавить в запрос
SKW25N120	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A	Добавить в запрос
SKW30N60	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 30A	Добавить в запрос
SP000913772	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS	Добавить в запрос
SP000919762	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS	Добавить в запрос
SP000925524	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS	Добавить в запрос
STGB10H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed	Добавить в запрос
STGB10M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss	Добавить в запрос
STGB10NB37LZT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT	Добавить в запрос
STGB10NB40LZT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp	Добавить в запрос
STGB10NC60HDT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V	Добавить в запрос
STGB10NC60KDT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET	Добавить в запрос
STGB14NC60KDT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT	Добавить в запрос
STGB15H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed	Добавить в запрос
STGB15M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss	Добавить в запрос
STGB18N40LZT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V	Добавить в запрос
STGB19N40LZ	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
STGB19NC60HDT4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A	Добавить в запрос