Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [73]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

STGW75M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE	Добавить в запрос
STGW80H65DFB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A	Добавить в запрос
STGW80H65DFB-4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed	Добавить в запрос
STGW80H65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed	Добавить в запрос
STGW80H65FB-4	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed	Добавить в запрос
STGW80V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate V series 600V 80A HiSpd	Добавить в запрос
STGW80V60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed	Добавить в запрос
STGW8M120DF3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss	Добавить в запрос
STGWA15H120DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed	Добавить в запрос
STGWA15H120F2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed	Добавить в запрос
STGWA15M120DF3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss	Добавить в запрос
STGWA15S120DF3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop	Добавить в запрос
STGWA19NC60HD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode	Добавить в запрос
STGWA20M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss	Добавить в запрос
STGWA25H120DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed	Добавить в запрос
STGWA25H120F2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed	Добавить в запрос
STGWA25M120DF3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss	Добавить в запрос
STGWA25S120DF3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop	Добавить в запрос
STGWA30H60DFB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed	Добавить в запрос
STGWA30H65DFB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package	Добавить в запрос
STGWA30H65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed	Добавить в запрос
STGWA30M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss	Добавить в запрос
STGWA30N120KD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 1200V short circuit rugged IGBT	Добавить в запрос
STGWA40H120DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed	Добавить в запрос