Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [74]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

STGWA40H120F2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed	Добавить в запрос
STGWA40H60DLFB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
STGWA40H65DFB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed	Добавить в запрос
STGWA40H65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed	Добавить в запрос
STGWA40HP65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TO-247 LONG LEADS	Добавить в запрос
STGWA40HP65FB2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
STGWA40IH65DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 long leads package	Добавить в запрос
STGWA40M120DF3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss	Добавить в запрос
STGWA40N120KD	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A 1200V short circuit rugged IGBT	Добавить в запрос
STGWA40S120DF3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop	Добавить в запрос
STGWA50IH65DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
STGWA50M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE	Добавить в запрос
STGWA60H65DFB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed	Добавить в запрос
STGWA60V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT	Добавить в запрос
STGWA75M65DF2	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE	Добавить в запрос
STGWA80H65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed	Добавить в запрос
STGWA8M120DF3	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss	Добавить в запрос
STGWF30NC60S	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE	Добавить в запрос
STGWT15H60F	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed	Добавить в запрос
STGWT20H60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop	Добавить в запрос
STGWT20H65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed	Добавить в запрос
STGWT20HP65FB	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed	Добавить в запрос
STGWT20IH125DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBT	Добавить в запрос
STGWT20V60DF	STMicroelectronics	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT	Добавить в запрос