Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [16]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

BSM150GB60DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 150A DUAL	Добавить в запрос
BSM15GD120DLCE3224	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A	Добавить в запрос
BSM15GD120DN2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE	Добавить в запрос
BSM15GD120DN2E3224	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A	Добавить в запрос
BSM15GP120	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM	Добавить в запрос
BSM15GP60	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A PIM	Добавить в запрос
BSM200GA120DN2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE	Добавить в запрос
BSM200GA170DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 400A	Добавить в запрос
BSM200GB120DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL	Добавить в запрос
BSM200GB120DN2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL	Добавить в запрос
BSM200GB60DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A DUAL	Добавить в запрос
BSM200GD60DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A 3-PHASE	Добавить в запрос
BSM20GP60	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM	Добавить в запрос
BSM25GD120DN2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE	Добавить в запрос
BSM25GD120DN2E3224	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A	Добавить в запрос
BSM25GP120	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM	Добавить в запрос
BSM300GA120DN2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE	Добавить в запрос
BSM300GB120DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL	Добавить в запрос
BSM300GB60DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 300A DUAL	Добавить в запрос
BSM30GD60DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 3-PHASE	Добавить в запрос
BSM30GP60	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A PIM	Добавить в запрос
BSM35GD120DLCE3224	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70A	Добавить в запрос
BSM35GD120DN2E3224	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A	Добавить в запрос
BSM35GP120	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIM	Добавить в запрос