Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [18]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

DD1200S33K2C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A F/DIODE	Добавить в запрос
DD1200S45KL3_B5	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
DD200S33K2C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A F/DIODE	Добавить в запрос
DD250S65K3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
DD400S33K2C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A F/DIODE	Добавить в запрос
DD400S33KL2C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3.3KV 400A	Добавить в запрос
DD400S45KL3_B5	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
DD500S33HE3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
DD500S65K3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500V	Добавить в запрос
DD600S65K3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600amps 6500V	Добавить в запрос
DD750S65K3	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 750A 6500V	Добавить в запрос
DD800S33K2C	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A F/DIODE	Добавить в запрос
DDB2U30N08VR	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A	Добавить в запрос
DDB6U180N16RR_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
DDB6U30N08VR	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26A	Добавить в запрос
DDB6U75N16W1R	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605A	Добавить в запрос
DDB6U75N16W1R_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifier 1200V	Добавить в запрос
DF1000R17IE4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000A	Добавить в запрос
DF1000R17IE4D_B2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
DF100R07W1H5FPB53BPSA2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY	Добавить в запрос
DF120R12W2H3_B27	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
DF1400R12IP4D	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400A	Добавить в запрос
DF150R12RT4	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150A	Добавить в запрос
DF160R12W2H3F_B11	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос