Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [15]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

APTGTQ200SK65T3G	Microchip / Microsemi	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3200	Добавить в запрос
APTGTQ50TA65T3G	Microchip / Microsemi	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3203	Добавить в запрос
APTGV50H60BT3G	Microchip / Microsemi	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT	Добавить в запрос
APTLGL325A1208G	Microchip / Microsemi	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021	Добавить в запрос
APTLGT300A1208G	Microchip / Microsemi	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023	Добавить в запрос
APTLGT400A608G	Microchip / Microsemi	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020	Добавить в запрос
BSM100GAL120DLCK	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPER	Добавить в запрос
BSM100GB120DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL	Добавить в запрос
BSM100GB120DLCK	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL	Добавить в запрос
BSM100GB120DN2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL	Добавить в запрос
BSM100GB120DN2K	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL	Добавить в запрос
BSM100GB170DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUAL	Добавить в запрос
BSM100GB60DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DUAL	Добавить в запрос
BSM100GD120DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE	Добавить в запрос
BSM100GD120DN2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE	Добавить в запрос
BSM100GD60DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A 3-PHASE	Добавить в запрос
BSM100GP60	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A PIM	Добавить в запрос
BSM10GD120DN2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE	Добавить в запрос
BSM10GD120DN2E3224	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A	Добавить в запрос
BSM10GP120	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A PIM	Добавить в запрос
BSM10GP60	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A PIM	Добавить в запрос
BSM150GB120DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL	Добавить в запрос
BSM150GB120DN2	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL	Добавить в запрос
BSM150GB170DLC	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUAL	Добавить в запрос