)
)
|
RN2713JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2713JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2714,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=1kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=1kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN2901,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2901FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2901FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2902,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2902,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN2902FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2902FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN2903,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2903,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2903FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2903FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2904,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN2904FE,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN |
Добавить в запрос
|
|
RN2904FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2904FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN2905,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2905,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
