)
)
|
RN2905FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2905FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A |
Добавить в запрос
|
|
RN2905FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN2906,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2906,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN |
Добавить в запрос
|
|
RN2906,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2906,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN2906FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN2907,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN2907FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2907FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN2908,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2908FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2908FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2909,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2909FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2909FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2910,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN2910FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2910FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
