)
)
|
RN2610(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2610(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2701,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2701JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2701JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2702,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2702JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2702JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A |
Добавить в запрос
|
|
RN2702TE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2702TE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO |
Добавить в запрос
|
|
RN2703,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2703JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2703JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2704,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2704JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2704JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2705,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2705JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2705JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN2706,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
Добавить в запрос
|
