)
)
|
RN1966FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1968(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1968(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1970(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1970(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) |
Добавить в запрос
|
|
RN1971TE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1971TE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
Добавить в запрос
|
|
RN2101,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2101,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2101MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2101MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN2101MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 4.7kohm |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2101MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 4.7kohm |
Добавить в запрос
|
|
RN2102,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2102,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2102MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2102MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN2103,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2103MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50V -100mA 22x22Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2103MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50V -100mA 22x22Kohms |
Добавить в запрос
|
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
