|
RN1906FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1 |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1906FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1 |
Добавить в запрос
|
|
RN1907,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1907,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN1907FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1907FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN1908,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1908FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=250MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1908FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=250MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN1909,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1909FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=250MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1909FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=250MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN1910,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1 |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1910,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1 |
Добавить в запрос
|
|
RN1910FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1910FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN1911,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN1911FETE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1911FETE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1961(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 50mW F 1MHz |
Добавить в запрос
|
