|
RN1703,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1703JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1703JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN1704,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1704JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1704JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN1705,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1705JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1705JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN1706,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1706JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1706JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A |
Добавить в запрос
|
|
RN1707,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN1708,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN1709,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN1710,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN1711,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1711JE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN x2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
|
RN1901,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1 |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1901,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1 |
Добавить в запрос
|
