|
RN2103MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2103MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN2104,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2104MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2104MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN2105,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2105MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2105MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN2105MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2105MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm |
Добавить в запрос
|
|
RN2106,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2106MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2106MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN2107,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2107,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2107MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2107MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN2107MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 10kohm |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2107MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 10kohm |
Добавить в запрос
|
|
RN2108,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
Добавить в запрос
|
