Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [62]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

RGTH00TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGTH00TS65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGTH40TK65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGTH40TK65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGTH40TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGTH40TS65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGTH50TK65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGTH50TK65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGTH50TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGTH50TS65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGTH60TK65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGTH60TK65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGTH60TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGTH60TS65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGTH80TK65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGTH80TK65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGTH80TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGTH80TS65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N	Добавить в запрос
RGTV00TK65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT	Добавить в запрос
RGTV00TK65GVC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT	Добавить в запрос
RGTV00TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT	Добавить в запрос
RGTV00TS65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT	Добавить в запрос
RGTV60TK65DGVC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT	Добавить в запрос
RGTV60TK65GVC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT	Добавить в запрос