Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [61]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

RGT16NL65DGTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT	Добавить в запрос
RGT16NS65DGC9	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGT16NS65DGTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 8A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGT16TM65DGC9	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT	Добавить в запрос
RGT30NL65DGTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT	Добавить в запрос
RGT30NS65DGC9	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGT30NS65DGTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 15A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGT30TM65DGC9	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT	Добавить в запрос
RGT40NL65DGTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT	Добавить в запрос
RGT40NS65DGC9	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGT40NS65DGTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGT40TM65DGC9	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT	Добавить в запрос
RGT40TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGT50NS65DGTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGT50TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGT60TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGT80TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGT8BM65DTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGT8NL65DGTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT	Добавить в запрос
RGT8NS65DGC9	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGT8NS65DGTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop Trench	Добавить в запрос
RGT8TM65DGC9	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT	Добавить в запрос
RGTH00TK65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGTH00TK65GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос