Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [60]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

RGCL60TK60DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGCL60TK60GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGCL60TS60DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGCL60TS60GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGCL80TK60DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGCL80TK60GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGCL80TS60DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGCL80TS60GC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP	Добавить в запрос
RGPR10BM40FHTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT	Добавить в запрос
RGPR20NS43HRTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT	Добавить в запрос
RGPR30BM40HRTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT	Добавить в запрос
RGPR30NS40HRTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT	Добавить в запрос
RGPZ10BM40FHTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT	Добавить в запрос
RGS00TS65DHRC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V	Добавить в запрос
RGS00TS65HRC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGB	Добавить в запрос
RGS50TSX2DHRC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH	Добавить в запрос
RGS50TSX2HRC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH	Добавить в запрос
RGS60TS65DHRC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH	Добавить в запрос
RGS60TS65HRC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH	Добавить в запрос
RGS80TS65HRC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCH	Добавить в запрос
RGS80TSX2DHRC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCH	Добавить в запрос
RGS80TSX2HRC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCH	Добавить в запрос
RGT00TS65DGC11	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N	Добавить в запрос
RGT16BM65DTL	ROHM Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос